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#メモリー

iPhone 18と18e、4430mAh電池と6.3インチ画面を共通採用とのリーク

iPhone 18とiPhone 18eが、ともに4430mAhのバッテリーと6.3インチのディスプレイを採用するとのリーク情報が出ています。両機種は2027年前半の発売がうわさされており、電池容量と画面サイズをそろえる一方、超広角カメラの有無では違いが残るとされています。

Nagare Labs、85度で300秒超保持するZ2RAM試作と量産課題を公表

Nagare Labsは、AIアクセラレーター上に積層するメモリー「Z2RAM」を開発しています。創業者らの研究では、試作セルが85度で300秒を超えてデータを保持しました。一方、同社が掲げる速度や密度の数値は予測で、製造設備の確保や高温での実証などが課題です。

NVIDIA、AI推論のメモリー圧迫に圧縮と階層化で対応

NVIDIAは、AI推論のメモリー効率を高めるため、GPUのHBM(高帯域幅メモリー)に加えて、CPUメモリーやストレージ、ソフトウェアを組み合わせる設計を示しました。モデルの重みとKVキャッシュが限られたHBMを取り合うため、データを圧縮し、使用頻度に応じて保存先を分けます。

アルトマン氏の家庭向けDRAM集約論にマスク氏が反発、AI向けHBMとの違いも

サム・アルトマン氏は、限られたDRAMを家庭のPCよりAIデータセンターで活用すべきだと述べ、イーロン・マスク氏は反発する投稿をしました。AI向けメモリーの需要が高まるなか、データセンター用のHBMとPC用DRAMは、性能や用途が異なります。

中国CXMT、歩留まり2〜3割でHBM3Eの限定生産へ

中国最大のDRAMメーカー、長鑫存儲技術(CXMT)が、歩留まりの低い状態でAI向け高帯域メモリー「HBM3E」の限定生産を始める計画です。生産品のうち仕様を満たすのは2〜3割とされ、供給量や製造コストが課題になります。

SK hynix、メモリー需給逼迫は2030年まで続くとの見通し

SK hynixは、メモリーの需要が供給を上回る状態が2030年まで続くとの見通しを示しました。AI向けインフラへの投資が広がる一方、先端製造プロセスの難しさや新工場の建設にかかる時間が供給拡大を制約するためです。

MicronのG11 NAND、400層超でビット密度2倍とI/O速度50%向上を目指す

Micronは次世代3D NAND「G11」で、現行世代G9に比べてビット密度を約2倍にし、I/O速度を最大50%高める計画です。データ転送時のビット当たり消費電力も25%超削減する目標で、量産開始は2027年後半を予定しています。

NVIDIAのフアンCEO、2029年のメモリー供給過剰を予想せず

NVIDIAのジェンスン・フアンCEOは、2029年までにメモリーが供給過剰になる兆候は見ていないとCNBCに語りました。AI向け需要が続くとの見方を示す一方、メモリー関連株は供給増への懸念から下落しており、供給と需要の見通しが市場の焦点になっています。

CXMTの新メモリー設計発表で半導体株が下落

中国のメモリーメーカーCXMTが新しいセル構造の開発進展を明らかにした後、火曜日にメモリー関連株が下落しました。