9月売上高は前年同月比54.6％増

TSMCは、2026年9月の売上高が約5,118億6,000万台湾ドルとなり、前年同月比54.6％増えたと発表しました。8月比では0.6％減でした。

1〜9月の売上高は約3兆8,987億3,000万台湾ドルで、前年同期比41.1％増でした。

TSMCはNvidiaやAppleを顧客に持つ半導体受託製造会社です。CNBCは、AI向け先端半導体の需要拡大が同社の売上を押し上げていると伝えました。

台湾の輸出やSamsungにもAI需要の影響

台湾の9月輸出額は前年同月比60.9％増の872億ドルとなり、過去最高を記録しました。Euronewsは、世界的なAIハードウェア需要が輸出増を支えたと報じています。

Samsung Electronicsは、第3四半期の営業利益を107.4兆ウォンと見込んでおり、前年同期の12.17兆ウォンから782.5％増となる予想です。同社は、AIデータセンター向けの高帯域幅メモリー需要やDRAMとNANDの価格上昇の恩恵を受けているとされています。

High-NA EUVは細かな回路を一度に露光

TSMCは9月、ASMLのHigh-NA EUV露光装置を使用する方針を固めました。EUV露光は極端紫外線を使って半導体の回路パターンを描く工程で、High-NAは従来装置より光学系の開口数を高めた方式です。

High-NAと従来のLow-NAは、どちらも波長13.5ナノメートルの光を使います。開口数は従来の0.33から0.55に上がり、単一露光での解像度は約13ナノメートルから約8ナノメートルになると解説されています。

High-NAでは光学系の縮小率が縦横で異なり、4倍と8倍のアナモルフィック光学を採用します。その結果、ウェハー上の露光フィールドは従来の26×33ミリメートルから26×16.5ミリメートルへ半分になります。

微細化の利点とTSMCの導入方針

解像度が上がると、従来方式では複数回に分けて描く必要があった細かなパターンを、単一露光で形成できる場合があります。露光回数を減らせれば、重ね合わせ工程や製造時間を抑えられる可能性があります。

一方、フィールドの縮小は大型チップの設計や露光に影響します。大きなチップを製造する場合、複数の露光領域をつなぐ方法が必要になることがあります。

技術解説によると、TSMCはA12とA13の量産で従来の0.33開口数のEUVを活用し、High-NAを量産に使わない方針です。TSMCは10月15日に第3四半期の正式な決算と見通しを公表する予定です。